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3D 패턴공정개발

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3D patterning 기술을 이용한 Imprinting용 master 개발

Post Develop(PR master)

Capability Gray Scale + Photoresist을 이용한 3D patterning

Items Current Next Plan
Mini. Resolution (um) 5um < 5um
Mini. Patterm Gap Width (um) 1.5um @ Lenti Array <1.0um
Depth (um) ~ 70um @ Lens / Cone array >70um @ Lenti Array
Substrate size 12inch 500x500

3D pattern design

공정 개발 과정

Grey scale system

개발하고자하는 3D 패턴

시행 착오

시행 착오

- Double Exposure

200mW 240mW 260mW 300mW
Depth(㎛) 16.96 Depth(㎛) 18.94 Depth(㎛) 19.78 Depth(㎛) 21.94
width(㎛) 41.91 width(㎛) 40.97 width(㎛)) 41.72 width(㎛) 42.84

- Triple Exposure

200mW 240mW 260mW 300mW
Depth(㎛) 16.96 Depth(㎛) 18.94 Depth(㎛) 19.78 Depth(㎛) 21.94
width(㎛) 41.91 width(㎛) 40.97 width(㎛)) 41.72 width(㎛) 42.84

다양한 3D pattern 제작

PR 특성과 현상 공정을 통한 3D 패턴 구현